- 模拟电子系统设计指南(基础篇):从半导体、分立元件到TI集成电路的分析与实现
- 何宾编著
- 136字
- 2025-02-20 22:35:45
2.7.4 反偏模型
反偏时,小信号交流电阻r d非常高,在几兆欧的量级,可假设为非常大,趋于无穷。扩散电容Cd与流过二极管的电流有关,因为在反偏时反向电流非常小,所以 Cd可以忽略。对于反偏二极管的高频交流模型,其在反偏时设其电阻为rr,如图2.15 (b) 所示,模型参数为:


图2.15 二极管的高频交流模型
反偏时,小信号交流电阻r d非常高,在几兆欧的量级,可假设为非常大,趋于无穷。扩散电容Cd与流过二极管的电流有关,因为在反偏时反向电流非常小,所以 Cd可以忽略。对于反偏二极管的高频交流模型,其在反偏时设其电阻为rr,如图2.15 (b) 所示,模型参数为:
图2.15 二极管的高频交流模型